大连理工大学学报

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国内刊号:21-1117/N

国际刊号:1000-8608

大连理工大学学报杂志2019年第1期:磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化

发布日期:

作者:马铭,任瑛,侯晓多,陈国清,张贵锋

关键词:多元高熵合金薄膜低温渗氮力学性能

基金:国家国际科技合作专项(2015DFR60370);航空科学基金资助项目(20153663010).

采用磁控溅射技术沉积了AlCrWTaTiNb多元高熵合金薄膜,在400℃以下采用高密度等离子体设备对沉积的薄膜进行了氮化处理.用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜和纳米压痕对氮化后薄膜的微观结构、表面形貌以及力学性能进行了分析.结果表明,高熵效应有利于降低氮化温度,最低氮化温度仅为200℃,所有的(AlCrWTaTiNb)N薄膜晶体结构呈现简单的FCC结构,且具有(111)择优取向.随着氮化温度的增加,(AlCrWTaTiNb)N复合薄膜的显微硬度、弹性模量和对应的H3/E2均增大,氮化温度为300℃时,达到最大,随后略微下降.随氮化时间的延长,显微硬度和弹性模量均逐渐增加.

来源:2019年第1期

《大连理工大学学报》期刊编辑部

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