大连理工大学学报杂志

大连理工大学学报杂志2025年第1期

• 基于热压处理的聚芳醚介电损耗降低

  石龙威,王锦艳,蹇锡高

  限制极性分子的运动是降低聚合物介电损耗的有效手段．合成了含杂萘联苯结构的聚芳醚，随后进行热压处理以降低其自由体积，限制分子链段运动，从而降低材料的介电损耗．实验结果表明，系列聚芳醚薄膜在热压处理后的介电损耗明显降低，降低率最大为10.27%；材料自由体积的降低也使其玻璃化转变温度提高，提高率最大为13.0%．采用XRD测试并计算材料的分子链间距以反映材料自由体积的变化，应用MaterialsStudio软件模拟聚芳醚于热压前后的自由体积分数的变化，二者均与材料的介电损耗、玻璃化转变温度变化规律相符，证明通过热压处理降低材料自由体积以提升其性能是一种可行手段．

• 银基催化剂调控及其甲醛催化氧化性能研究

  黄彬,曲振平

  银基催化剂具有较好的氧化能力，在环境催化领域具有良好的应用前景．采用等体积浸渍法制备银基催化剂，考察了助剂种类、预处理气氛和温度、载体孔道结构等制备工艺条件对银基催化剂上甲醛(HCHO)催化氧化性能的影响．实验结果表明，在6%的Ag/SBA-15催化剂中添加3%的Fe助剂能显著提高催化剂的HCHO催化氧化性能，先后采用O2和H2处理有助于提高催化剂活性，载体孔道结构对HCHO催化氧化活性影响较小，采用共浸渍法制备的银基催化剂的性能优于两步浸渍法制备的催化剂的性能．其中采用共浸渍法制备的AgFe/SBA-15催化剂，在O2(600℃)和H2(400℃)先后处理后，表现出良好的HCHO催化氧化性能，在75℃时可将HCHO完全转化为CO2和H2O．

• miR-483-3p增强胰腺癌对吉西他滨敏感性及分子机制研究

  刘青,肖桂山

  吉西他滨耐药限制了其对胰腺癌的治疗效果，而传统化学药物无法有效克服吉西他滨对胰腺癌的耐药．研究表明，microRNA(miRNA)的异常表达与肿瘤发生、发展和化疗耐药性有关．对miR-483-3p在胰腺癌吉西他滨耐药中的作用和潜在机制进行了研究．qPCR结果显示miR-483-3p在胰腺癌耐药细胞中显著下调．miR-483-3pminics瞬时转染显著提高了耐药细胞内miR-483-3p的表达水平，显著减弱了耐药细胞的增殖、迁移、转移和侵袭能力，恢复了吉西他滨的反应性．Westernblot结果显示miR-483-3p抑制PI3K和p-AKT蛋白的表达水平，抑制Bcl2蛋白表达，促进Bax、Bad和cleaved-Caspase-3蛋白表达，促进细胞凋亡进程．总之，研究结果表明miR-483-3p通过抑制PI3K/AKT信号通路促进细胞凋亡，增加胰腺癌对吉西他滨的敏感性，miR-483-3p可能是吉西他滨耐药胰腺癌患者的潜在治疗策略．

• 双进气道结构下带凹腔补燃室燃烧特性数值研究

  王彦红,姚弘悦,东明

  针对导弹应用固体冲压发动机补燃室的掺混燃烧问题，通过一次燃气的气相燃烧模型和硼燃料的KING燃烧模型，探究了双侧90°和双侧180°进气条件下带凹腔补燃室(后倾角范围为90°~150°)的温度场和流场分布情况．阐述了凹腔旋流效应及其对燃烧过程和燃烧产物的影响，进行了燃烧性能量化分析．数值结果表明:双侧180°进气条件下凹腔增大了燃料和空气的掺混空间，凹腔截面出现4个大对冲旋涡，掺混更加均匀，有利于燃烧组织，有效燃烧空间更大，补燃室出口总燃烧效率达到85%．双侧90°进气条件下凹腔截面形成逆时针单向旋涡，燃烧集中在狭小空间，对燃烧过程不利，补燃室出口总燃烧效率仅为55%．凹腔后倾角由90°提高到120°时，燃料和空气的掺混空间增大，促进了燃烧过程．凹腔后倾角继续提高到150°，凹腔空间增大改善燃烧的作用微弱．

• 新型二维声子晶体带隙特性及调控方法研究

  胡启国,胡皓,魏晨,胡豁然

  为拓宽声子晶体弹性波带隙，提出一种关于基体双侧对称的声子晶体结构模型．采用有限元法计算了该声子晶体的能带结构和本征模态，基于局域共振机理深入分析了其带隙的形成机理，通过改变几何参数及施加等轴预拉伸应变的方法对该声子晶体的带隙进行被动调控与主动调控．仿真结果表明:所提声子晶体结构基体中的长波行波与振子的谐振相互耦合作用产生一条局域共振带隙，通过优化几何参数可以获得起始频率更低的宽频带隙，对结构施加等轴预拉伸应变可以有效拓宽带隙且带隙宽度随着预拉伸应变的增大而变宽．研究结果为声子晶体的带隙主动调控提供了方案，为结构减振降噪提供了新思路．

• 海上救援无人方舱水动力性能分析

  李铁骊,黄珍秋,周燹

  空投方舱的方形系数过大，使得方舱在航行时艏摇、横摇、纵摇严重，水动力性能较差，需针对方舱的入水航行问题进行水动力性能分析，并为其设计优选附体，改善方舱的稳定性．根据确定的方舱主尺度、船型参数以及重心位置可行域，利用CFD方法研究方舱的水动力性能，包括快速性、耐波性、航向稳定性等，为方舱设计并优化附体．其中快速性方面，计算固定吃水、纵倾时的阻力以及空载、设计载况下放开纵摇和垂荡的静水阻力；耐波性主要计算空载、设计载况下的波浪增阻和自由横摇衰减时间，增加舭龙骨以改善横摇稳定性；航向稳定性主要计算方舱艏摇衰减时间，并加装艏艉鳍改善其航向稳定性；最后对加装优选附体的方舱进行分析对比，并完成实船阻力、功率预估．通过加装附体的方式对方舱进行优化，水动力性能分析证明了其动力和推进系统可行性，初步确定加装优选附体的方舱模型，为后续总体设计及其设备选取提供技术参考．

• 基于IABC-GA的管路协同机舱设备布局优化方法研究

  王文双,杨远松,刘海洋,杨明君,林焰

  为解决船舶机舱整体布局优化设计问题，提出一种基于改进人工蜂群遗传算法(IABC-GA)的管路协同设备布局优化设计方法以获得最佳设备布局方案和管路布局方案．在人工蜂群算法和遗传算法的基础上，提出一种既适应设备布局优化也适应管路路径寻优的改进算法，结合协同进化思想，将船舶机舱整体布局优化问题拆解为互相关联的设备布局问题和管路布局问题，两者在相互影响的情况下协同进化，最终得到最佳的船舶机舱布局设计方案．通过对实船机舱的仿真实验，验证了管路协同设备布局优化方法的可行性与可靠性．设备布局方面，与原始设备布局相比效果提升59.5%；船舶机舱整体布局方面，与先进行设备布局优化再进行管路布局优化相比效果提升11.8%．

• 流态固化土水泥剂量EDTA滴定法检测影响因素分析

  罗義錬,罗强,蒋良潍,张良,胡秋辉,覃李兵

  水泥剂量是控制流态固化土强度的关键指标，工程中多采用EDTA滴定法进行检测，但流态固化土制备过程中含水量与水泥水化时间偏差会导致检测数据失真．研究了EDTA二钠标准溶液消耗量随水泥剂量、含水量和水化时间三因素的变化规律；基于回归正交试验，开展了多因素及交互影响的主次关系分析与显著性评价，建立了考虑三因素综合影响的EDTA二钠标准溶液消耗量回归方程．试验表明，EDTA二钠标准溶液消耗量与水泥剂量近似呈线性正相关，随含水量增大或水化时间延长近似线性降低；影响因素主次顺序为水泥剂量、含水量、水化时间，交互作用不显著；因素水平在回归正交试验组范围内，回归方程计算值误差低于2.40%；含水量或水化时间分别偏差2.9%、86min，将造成水泥剂量检测值增减约0.5%.研究成果可为完善流态固化土水泥剂量检测技术提供参考．

• 采用阻流器的近壁面海底管道绕流研究

  王杰,刘政沅,张彬滨,宋朝,周波

  为深入了解采用阻流器的海底管道自埋机制，基于Fluent软件，结合标准k-ε湍流模型，建立了高雷诺数下安装阻流器的近壁面海底管道绕流数值模型，研究了阻流器长度和间隙比对管道尾流与壁面边界层之间复杂的相互作用以及时空演化的影响．研究结果表明采用阻流器可以显著增大管道与壁面之间流速以及管道附近脉动速度，但当阻流器长度达到临界值时，管道尾部会形成稳态结构．随着间隙比的增大，尾流演化可以分为4个区:稳态结构、两次诱导壁面涡、单次诱导壁面涡、卡门涡街．适当的间隙比有利于诱导壁面旋涡的产生，从而加快管道周围沉积物冲刷．

• 镍污染场地抽出-处理数值模拟及渗透系数对修复效果影响

  南瑞川,柏晓鹏,张婷婷,闫晓惠

  为研究污染场地渗透系数对抽出-处理效果的影响，以某镍(Ni)污染场地为例，构建了二维均质非稳定地下水流模型，并基于该模型进行考虑溶质对流、弥散、吸附的抽出-处理模拟，研究了不同含水介质及抽水流量对修复效果的影响．结果表明:水动力模型模拟结果与场地实测地下水水位基本吻合，均方根误差为0.006m，模型可以较好地刻画场地地下水流场．通过对比3处抽水井位置下Ni的修复效果，认为3个方案中抽水井位于污染羽中心的方案最佳．在相同抽水流量下，渗透系数越大，地下水监测站点GW1处Ni浓度越高，GW2处Ni浓度越低，但污染羽面积也越大．当含水层为黄土或粉砂时，若抽水流量为40m3/d，GW1和GW2两处Ni浓度无法降低至0.1mg/L，若抽水流量为80m3/d或120m3/d，则GW1和GW2两处在3a内Ni浓度可以降低至0.1mg/L．当含水层为细砂时，GW1处Ni浓度在3种抽水流量场景下均无法降低至0.1mg/L，而GW2处Ni浓度在3a内均能满足地下水Ⅳ类水质标准．相同水文地质条件下，抽水流量越大，达到地下水Ⅳ类水质标准的时间越短，但抽水总量越大．研究结果可为污染场地地下水抽出-处理实施的可行性提供一定的科学依据．

• AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取

  吴淇暄,张贺秋,朱江,宁思源,代晓,王子坤,梁红伟

  有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaNHEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了两组AlGaN/GaNHEMT器件,这两组器件的源漏间距为80μm,栅源间距为10μm.其中一组器件固定栅宽为400μm,栅长分别为10、20、30、40、50、60μm;另一组器件固定栅长为40μm,栅宽分别为200、300、400、500、600、800μm.通过研究源漏之间的总电阻随栅长和栅宽变化规律,获得栅长与有效栅长的差值为0.48989μm,栅宽与有效栅宽的差值为-11.12191μm.