大连理工大学学报

作者：李冰冰,张贺秋,刘旭阳,刘俊,薛东阳,梁红伟,夏晓川

关键词：高电子迁移率晶体管欧姆接触退火比接触电阻率

基金：国家自然科学基金资助项目(ZX0180421,ZX20160406,11975257);大连市科技计划资助项目(ZX20180681).

利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20nm/40nm)、1∶5(20nm/100nm)和1∶8(20nm/160nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaNHEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800℃,Ti与Al比为1∶5的AlGaN/GaNHEMT结构形成了较好的欧姆接触.

来源：2020年第2期

《大连理工大学学报》期刊编辑部

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