大连理工大学学报

作者：吴頔,康仁科,牛林,潘博,郭晓光,郭江

关键词：硫代水杨酸电化学机械抛光铜反应机理

基金：国防基础科研核科学挑战专题(TZ20160060103TZ2016006010702)；辽宁省兴辽英才计划资助项目(XLYC1807230).

随着国防和电子工业领域的发展，纯铜精密零件对表面粗糙度的要求随之提高．在硫代水杨酸(TSA)的络合作用下，电化学机械抛光(ECMP)可避免加工应力引起的变形并获得低表面粗糙度的纯铜表面，但由于TSA存在多个官能团，其与纯铜材料的反应机理难以阐明．通过对电位动态极化和ECMP试验，优化了工作电位，实现在2V(饱和甘汞电极为参考电极)下进行ECMP，使工件表面粗糙度减少96.7%；并对试验中生成的缓蚀膜进行X射线能谱(EDS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和质谱分析，阐明了纯铜材料与TSA基电解液的反应机理，即2个TSA分子脱质子生成［C12H8(COO)2SO2］2-，［C12H8(COO)2SO2］2-转化为［C14H8O6S]4-，然后［C14H8O6S]4-与铜离子结合形成配位化合物［C14H8O6SCu］2-；此外，在反应产物中检测到［C12H8(COOH)2S2］(二硫代水杨酸，DTSA)的存在，为快速合成DTSA提供了新的可能．

来源：2021年第3期

《大连理工大学学报》期刊编辑部

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