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国内刊号：21-1117/N
国际刊号：1000-8608
发布日期:
作者：王铭键,谭振权,刘立钊
关键词：蛋托型石墨烯掺杂带隙密度泛函理论
基金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT21LK17).
石墨烯因其独特的结构特点和优异的性能受到了人们的广泛关注．在合成与应用石墨烯的过程中，本征缺陷和杂原子的引入也会显著改变石墨烯的结构和性质，并且打开石墨烯的带隙，从而能够使其更好地应用于电子设备领域．通过构建一系列不同厚度的蛋托型石墨烯并对其进行掺杂，探究厚度和杂原子对其光电性质的影响．密度泛函理论计算结果表明，厚度和掺杂都可以实现蛋托型石墨烯导电性的调控，其中氮掺杂可以显著提高材料导电性，实现半导体到金属性的转变．同时，氮掺杂和硼掺杂会分别引起蛋托型石墨烯光吸收峰的蓝移和红移，实现光学检测．
来源：2023年第1期
《大连理工大学学报》期刊编辑部
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