大连理工大学学报

作者：陈欢欢,张贺秋,邢鹤,夏晓川,张振中,蔡涛,叶宇帆，郭文平，席庆南，黄慧诗，梁晓华，梁红伟

关键词：AlGaN/GaNHEMT高温栅偏置应力栅极泄漏电流机制

基金：国家自然科学基金资助项目(11975257,12075045,11875097,62074146);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45).

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaNHEMT在栅电压为-2V时,250℃高温应力作用后的栅极泄漏电流机制.随着HTGB时间的增加,栅极泄漏电流持续增大,受到应力器件在室温下静置后栅极泄漏电流密度恢复约20%.结果表明,在正向偏置范围内,栅极泄漏电流是由热电子发射(TE)引起的.在反向偏置范围内,普尔-弗伦克尔(PF)发射在小电压范围内占主导地位.阈值电压附近的范围由势垒层中的陷阱辅助隧穿(TAT)引起;在大电压范围内,福勒-诺德海姆(FN)隧穿导致栅极发生泄漏.

来源：2024年第1期

《大连理工大学学报》期刊编辑部

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