大连理工大学学报

作者：谷海燕,张贺秋,朱江,徐林欣,吴一航,梁晓华

关键词：AlGaN/GaNHEMT高温特性自热效应TCAD电子饱和速度

基金：国家自然科学基金资助项目(11975257120750451187509762074146)；中央高效基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042DUT19RC(3)074DUT19LK45).

GaN材料具有宽禁带和耐高压特性，因此AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)能够在较高温度下正常工作．然而，随着温度升高，AlGaN/GaNHEMT性能会出现退化．研究其性能随温度的变化特性有助于优化宽温度范围内的器件特性．通过采用TCAD软件并引入热力学相关物理模型，对不同温度下的器件特性进行仿真．在仿真中考虑了高场速度饱和模型中电子饱和速度对晶格温度的依赖性，在300至573K温度范围内将仿真结果与实验结果进行拟合，获得了电子饱和速度与温度之间的经验模型方程．此外，还分析了HEMT在高温下直流特性变化的物理机理．

来源：2025年第6期

《大连理工大学学报》期刊编辑部

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